造成陶瓷高壓電容器被擊穿的因素有很多，按照其導(dǎo)致的因素，可以將擊穿情況分為電壓擊穿、熱擊穿、過電流擊穿、電磁場強(qiáng)擊穿等情況。

首先來看電壓擊穿情況。這是高壓電容最容易出現(xiàn)的一種擊穿情況，在應(yīng)用中通常會表現(xiàn)為電容器表面破碎，陶瓷芯片出現(xiàn)開裂。導(dǎo)致這種擊穿情況出現(xiàn)的原因，就在于高壓電容器的承受電壓的能力不夠。往往是技術(shù)人員對電容器的電壓安全余量把握不夠，也就是說如果把電壓降低一點，或者采用更高電壓的高壓電容器，這個問題就解決了。以國家電網(wǎng)來講，一般電壓的安全余量會超過4倍。比如在10KV的電站里，所用到的電容器的電壓，按國家標(biāo)準(zhǔn)，就必須能達(dá)到42KVAC保壓2分鐘，凡是低于這一標(biāo)準(zhǔn)的都是不合格產(chǎn)品。

接下來我們再來看一下高壓電容中第二大高發(fā)的擊穿現(xiàn)象，那就是熱擊穿。這種擊穿情況一般多發(fā)生在高頻脈沖電路中。一顆頻率級別不夠的陶瓷高壓電容器用到了承受能力以外的電源里，明顯會出現(xiàn)熱擊穿。這種擊穿沒有先兆，往往是一擊即穿，或者脈沖幾次很快就擊穿了。導(dǎo)致這一問題的根本原因在于，電容器本身與電路設(shè)計要求的HZ級別不符，例如原本應(yīng)該用2GHZ的電容器，卻使用了2KKHZ的電容器。甚至更低檔次的產(chǎn)品。這樣的后果直接是電容器一上機(jī)機(jī)即擊穿。這種擊穿很直接，因為脈沖頻很強(qiáng)大，電容器往往被擊得粉碎。因為這是在一種極短的時間內(nèi)，陶瓷芯片發(fā)生極為急劇的溫度變化，這種變化是因為陶瓷不耐受高頻引起的。這種瞬間的高溫讓技術(shù)人員措手不及，往往還容易錯誤地判斷為電壓不夠。因為升溫時間太短，沒有發(fā)現(xiàn)升溫現(xiàn)像。其實這時芯片是燙的。

不過，在實際應(yīng)用的過程中，陶瓷高壓電容器發(fā)生熱擊穿時還有一種不容易分辨的假相，需要工程人員特別注意。比如在產(chǎn)品在環(huán)境溫度提升過程中，到一定值時，突然斷路了。這時發(fā)現(xiàn)電容器外觀是好的，極少數(shù)可能出現(xiàn)擊穿現(xiàn)像，更多的一部分，則表現(xiàn)為電容器并沒有擊穿，只是換效而已。在溫度降低后，它還會恢復(fù)到初始值以下。

相比較上面所提到的陶瓷高壓電容的兩種擊穿現(xiàn)象，磁場擊穿盡管發(fā)生的頻率要低一些，但同樣是需要我們認(rèn)真對待的。高壓電容器在強(qiáng)磁場下，發(fā)生擊穿的現(xiàn)像也比較多。這種現(xiàn)像往往采取有效措施后可得到控制。或者改變電路結(jié)構(gòu)也同樣能夠加以控制。